IXFN56N90P
Module; enkele transistor; 900V; 56A; SOT227B; geschroefd; 1000W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN56N90P
Symbool TME:
IXFN56N90P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 900V | |
Drainstroom | 56A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,145Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 168A | |
Vermogensdissipatie | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 375nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.34 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN56N90PAantal (Veelvoud: 300)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 300 st - 37.09 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 300 st - 44.88 GBP
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st