IXFN82N60Q3
Module; enkele transistor; 600V; 66A; SOT227B; geschroefd; 960W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN82N60Q3
Symbool TME:
IXFN82N60Q3
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 600V | |
Drainstroom | 66A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 75mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 240A | |
Vermogensdissipatie | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 275nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht27.3 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60Q3Aantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 49.49 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 59.89 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 46.57 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 56.34 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 44.21 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 53.50 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st