IXGN50N120C3H1
Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXGN50N120C3H1
Symbool TME:
IXGN50N120C3H1
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 50A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 240A | |
Vermogensdissipatie | 460W | |
Technologie | GenX3™, PT | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.05 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* IXGN50N120C3H1
0 op voorraad bij TME
Aantal (Veelvoud: 1)
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 42.45 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 51.36 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 38.24 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 46.26 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 33.82 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 40.92 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikant:Koker = 10 st