IXYN110N120B4H1
Module: MOSFET transistor; Ic: 110A; SOT227B; 830W; GenX4™; buis
NIEUWS
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXYN110N120B4H1
Symbool TME:
IXYN110N120B4H1
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Stroom van de collector | 110A | |
Behuizing | SOT227B | |
Collector-emitterspanning | 1,2kV | |
Vermogensdissipatie | 830W | |
Technologie | GenX4™ | |
Soort verpakking | buis | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht1 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* IXYN110N120B4H1Aantal (Veelvoud: 300)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 300 st - 28.81 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 300 st - 34.85 EUR