IXYN82N120C3H1
Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXYN82N120C3H1
Symbool TME:
IXYN82N120C3H1
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 66A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 320A | |
Vermogensdissipatie | 500W | |
Technologie | GenX3™, XPT™ | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.22 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* IXYN82N120C3H1Aantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 45.98 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 55.64 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st