MCNA120UI2200TED
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
MCNA120UI2200TED
Symbool TME:
MCNA120UI2200TED
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | diode/thyristor/IGBT | |
Topologie | 3-fasige diode-thyristorbrug, boost chopper, NTC-thermistor | |
Omgekeerde spanning max. | 2,2kV | |
Stroom van de collector | 80A | |
Behuizing | E2-Pack | |
Toepassing | invertor | |
Elektrische montage | Press-in PCB | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 150A | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht10 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* MCNA120UI2200TED
0 op voorraad bij TME
Aantal (Veelvoud: 1)
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 158.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 191.18 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 141.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 170.61 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 6 st - 126.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 6 st - 152.47 EUR