MDNA360UB2200PTED
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
MDNA360UB2200PTED
Symbool TME:
MDNA360UB2200PTED
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | diode/transistor | |
Topologie | 3-fasige diodebrug, boost chopper, NTC-thermistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,7kV | |
Stroom van de collector | 135A | |
Behuizing | E2-Pack | |
Elektrische montage | Press-in PCB | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 280A | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht100 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* MDNA360UB2200PTEDAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 162.87 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 197.06 EUR