MIEB101H1200EH
Module: IGBT; transistor/transistor; H brug; Urmax: 1,2kV; Ic: 128A
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
MIEB101H1200EH
Symbool TME:
MIEB101H1200EH
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | transistor/transistor | |
Topologie | H brug | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 128A | |
Behuizing | E3-Pack | |
Toepassing | fotovoltaïsch, motors | |
Elektrische montage | Press-in PCB | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 200A | |
Vermogensdissipatie | 630W | |
Technologie | Sonic FRD™, SPT+ | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht10 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* MIEB101H1200EHAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 198.29 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 239.93 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 174.96 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 211.70 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 157.46 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 190.53 USD