MKI100-12F8
Module: IGBT; diode/transistor; H brug; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A; 640W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
MKI100-12F8
Symbool TME:
MKI100-12F8
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | diode/transistor | |
Topologie | H brug | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 125A | |
Behuizing | E3-Pack | |
Elektrische montage | Press-in PCB | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 200A | |
Vermogensdissipatie | 640W | |
Technologie | HiPerFRED™, NPT | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht300 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* MKI100-12F8Aantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 262.14 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 317.19 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 236.62 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 286.31 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 208.79 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 252.63 USD