SI3552DV-T1-E3

Name: VISHAY SI3552DV-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI3552DV-T1-E3
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; 30/-30V; 2,5/-1,8A

Producent: VISHAY

Aanduiding van de fabrikant:

SI3552DV-T1-E3

Symbool TME:

SI3552DV-T1-E3

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 1.01 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 1.23 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 0.84 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 1.01 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 0.60 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 0.73 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 50 st - 0.51 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 50 st - 0.62 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 100 st - 0.44 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 100 st - 0.53 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 250 st - 0.37 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 250 st - 0.44 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 500 st - 0.33 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 500 st - 0.39 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1000 st - 0.32 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1000 st - 0.38 EUR

Aantal (Veelvoud: 1)

Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.

Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt

Verpakkingsmethode door de fabrikantRol = 3 000 st

Producent	VISHAY
Type transistor	N/P-MOSFET
Technologie	TrenchFET®
Polarisatie	unipolair
Spanning dren-bron	30/-30V
Drainstroom	2,5/-1,8A
Gepulseerde drainstroom	-7...8A
Vermogensdissipatie	1,15W
Behuizing	SC74, TSOP6
Gate-source spanning	±20V
Weerstand in geleidingstoestand	360/175mΩ
Montage	SMD
Lading op de poort	3,6/3,2nC
Soort verpakking	band, rol
Soort kanaal	verrijkt