SI8902AEDB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolair; 24V; 11A; Idm: 40A
Producent: VISHAY
Aanduiding van de fabrikant:
SI8902AEDB-T2-E1
Symbool TME:
SI8902AEDB-T2-E1
Specificatie
Producent | VISHAY | |
Type transistor | N-MOSFET x2 | |
Technologie | TrenchFET® | |
Polarisatie | unipolair | |
Spanning dren-bron | 24V | |
Drainstroom | 11A | |
Gepulseerde drainstroom | 40A | |
Vermogensdissipatie | 5,7W | |
Behuizing | MICROFOOT® | |
Gate-source spanning | ±12V | |
Weerstand in geleidingstoestand | 37mΩ | |
Montage | SMD | |
Soort verpakking | band, rol | |
Soort kanaal | verrijkt |
Brutogewicht0.001 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Multikanalen transistors VISHAY,
* SI8902AEDB-T2-E1Aantal (Veelvoud: 3 000)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3000 st - 0.40 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3000 st - 0.48 EUR