+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

Klantregistratie

Wij willen u erop wijzen dat er op 23 oktober 2026 tussen 20.00 en 22.00 uur (CEST) problemen kunnen optreden met de toegang tot de website en het plaatsen van online bestellingen. Onze excuses voor het ongemak.

Gegevens worden verwerkt

Uw kredietlimiet is overschreden. De bestelling wordt geaccepteerd, maar zal niet worden gerealiseerd. De leveringstermijn voor de bestelde artikelen wordt ook niet bepaald. Neem contact op met TME.

De bewerking is succesvol voltooid.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het nog eens.

Producent	IXYS
Type halfgeleidermodule	MOSFET transistor
Structuur van semiconductor	enkele transistor
Spanning dren-bron	100V
Drainstroom	590A
Behuizing	Y3-DCB
Elektrische montage	FASTON connectors, geschroefd
Polarisatie	unipolair
Weerstand in geleidingstoestand	2,1mΩ
Gepulseerde drainstroom	2,36kA
Vermogensdissipatie	2,2kW
Technologie	HiPerFET™
Soort kanaal	verrijkt
Lading op de poort	2µC
Tijd gereedheid	300ns
Gate-source spanning	±20V
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders	Kelvin-aansluiting
Mechanische montage	geschroefd

VMO550-01F

Module; enkele transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW

Specificatie