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2SD315AI

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Fabricante: POWER INTEGRATIONS

Referência do Fabricante:
2SD315AI
Símbolo TME:
2SD315AI

Especificação

Fabricante
POWER INTEGRATIONS
Tipo de módulo semicondutor
gate driver board
Topologia
meia ponte IGBT, meia ponte MOSFET
Montagem
barra de pinos
Temperatura de trabalho
-40...85°C
Tecnologia
SCALE™-1
Classe de tensão
1,7kV
Frequência
0,1MHz
Corrente de saída
18A
Espécie da saída
controlador IGBT
Propriedades de circuitos integrados
conversor DC/DC integrado
Tensão de alimentação
  • 0...16V DC
Peso bruto50 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT POWER INTEGRATIONS,
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2SD315AI
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 77.50 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 95.32 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 73.28 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 90.13 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 70.12 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 86.25 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 66.96 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 82.36 USD
Preço líquido para as quantidades de 48 itens - 66.37 USDPreço bruto para as quantidades de 48 itens - 81.64 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)