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APT150GN120J

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B


Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
APT150GN120J
Símbolo TME:
APT150GN120J

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
99A
Caixa
SOT227B
Aplicação
motores, para cargas por indução, para UPS, SMPS
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±30V
Corrente do coletor no impulso
450A
Tecnologia
Field Stop, Trench
Espécie de embalagem
tubo
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados

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APT150GN120J
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 38.63 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 47.51 EUR