APT35GP120J
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT35GP120J
Símbolo TME:
APT35GP120J
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 29A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±30V | |
Corrente do coletor no impulso | 140A | |
Tecnologia | POWER MOS 7®, PT | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.43 g
Certificados
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* APT35GP120JQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
1 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.81 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 53.88 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 39.43 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 48.50 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 34.84 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 42.85 USD
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