APT50GF120JRD
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT50GF120JRD
Símbolo TME:
APT50GF120JRD
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão máxima inversa | 1,2kV | ||
Corrente do coletor | 64A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Tensão porta - emissor | ±30V | ||
Corrente do coletor no impulso | 225A | ||
Tecnologia | NPT | ||
Espécie de embalagem | tubo | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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