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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 14A | |
Caixa | SP4 | |
Topologia | ponte H + díodos paralelos, termístor NTC | |
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | |
Resistência no estado de condução | 0,54Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 72A | |
Potência dissipada | 357W | |
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |