B2M080120Z
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 28A; Idm: 68A; 187W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B2M080120Z
Símbolo TME:
B2M080120Z
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 28A | |
Corrente de dreno em impulso | 68A | |
Potência dissipada | 187W | |
Caixa | TO247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 80mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 46nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M080120ZQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 1.69 GBPPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 2.07 GBP
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 1.52 GBPPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 1.87 GBP
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 1.34 GBPPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 1.65 GBP
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 1.21 GBPPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 1.49 GBP
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 1.13 GBPPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 1.39 GBP