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B2M160120R

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 39A; 117W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M160120R
Símbolo TME:
B2M160120R

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
15A
Corrente de dreno em impulso
39A
Potência dissipada
117W
Caixa
TO263-7
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
0,16Ω
Montagem
SMD
Carga da porta
26nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M160120R
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Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 0.90 EURPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 1.11 EUR
Preço líquido para as quantidades de 400 itens - 0.82 EURPreço bruto para as quantidades de 400 itens - 1.00 EUR
Preço líquido para as quantidades de 800 itens - 0.76 EURPreço bruto para as quantidades de 800 itens - 0.93 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)