B2M600170H
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B2M600170H
Símbolo TME:
B2M600170H
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,7kV | |
Corrente de dreno | 5A | |
Corrente de dreno em impulso | 10A | |
Potência dissipada | 75W | |
Caixa | TO247-3 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 0,6Ω | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 14nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto6.2 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M600170HQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 1.08 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 1.34 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 0.98 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 1.20 EUR
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 0.86 EURPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 1.06 EUR
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 0.78 EURPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 0.96 EUR
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 0.73 EURPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 0.89 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens