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BGH75N120HF1

Transístor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3


Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
BGH75N120HF1
Símbolo TME:
BGH75N120HF1

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
IGBT
Tecnologia
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensão coletor-emissor
1,2kV
Corrente do coletor
75A
Potência dissipada
568W
Caixa
TO247-3
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
200A
Montagem
THT
Carga da porta
398nC
Espécie de embalagem
tubo
Tempo de ligação
140ns
Tempo de desligar
443ns
Propriedades de dispositivos semicondutores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto6.217 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

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BGH75N120HF1
5 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 9.92 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 12.20 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 8.98 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 11.03 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 7.94 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 9.77 EUR
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 7.14 EURPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 8.78 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens