G3R20MT12N
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; roscado; 365W
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
G3R20MT12N
Símbolo TME:
G3R20MT12N
Especificação
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 74A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 20mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 240A | |
Potência dissipada | 365W | |
Tecnologia | G3R™, SiC | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Tensão descarga-fonte | -5...15V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.39 g
Certificados
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* G3R20MT12NQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
95 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 40.30 GBPPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 49.57 GBP
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 38.72 GBPPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 47.62 GBP
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 37.99 GBPPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 46.72 GBP
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens