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GD75MLX65L3S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; Urmax: 650V; Ic: 75A; L3.1; roscado

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD75MLX65L3S
Símbolo TME:
GD75MLX65L3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
inversor de três níveis monofásico, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
75A
Caixa
L3.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
150A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto39 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD75MLX65L3S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 62.73 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 77.16 USD
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 55.43 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 68.17 USD
Preço líquido para as quantidades de 16 itens - 49.75 USDPreço bruto para as quantidades de 16 itens - 61.19 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.