IXFN66N85X
Módulo; transístor individual; 850V; 65A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN66N85X
Símbolo TME:
IXFN66N85X
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 850V | |
Corrente de dreno | 65A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 65mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 140A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 230nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85X
1 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 38.91 GBPPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 47.85 GBP
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 34.36 GBPPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 42.27 GBP
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 30.85 GBPPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 37.95 GBP
Método de embalagem do fabricante:Rolo = 10 itens