IXFN66N85X
Módulo; transístor individual; 850V; 65A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN66N85X
Símbolo TME:
IXFN66N85X
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 850V | |
Corrente de dreno | 65A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 65mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 140A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 230nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
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* IXFN66N85XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
1 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 45.41 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 55.85 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 40.10 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 49.33 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 36.00 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 44.29 EUR
Método de embalagem do fabricanteRolo = 10 itens