Módulos MOSFET da marca IXYS
| Polarização | unipolar |
| Fabricante | IXYS |
| Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET |
| Símbolo: (VMxxxF, IXFN340N07, IXFN36N100, IXFN55N50, IXFN100N50P, IXFN80N50, IXFN24N100) | |
|---|---|
| Tecnologia | HiPerFET |
| Símbolo: (IXTNxxx0P) | |
| Tecnologia | PolarP |
| Símbolo: (IXTN120P20T, IXTN210P10T) | |
| Tecnologia | TrenchP |
| Símbolo: (IXTN600N04T2, IXTN550N055T2) | |
| Tecnologia | GigaMOS, TrenchT2 |
| Símbolo: (IXTNxxxL2) | |
| Tecnologia | Linear L2 |
| Símbolo: (IXFNxxxT2) | |
| Tecnologia | GigaMOS, HiPerFET, TrenchT2 |
| Símbolo: (IXFN2xxx0P, IXFN300N10P, IXFN30N120P, IXFN32N100P, IXFN32N120P, IXFN38N100P, IXFN140N20P, IXFN140N30P, IXFN102N30P, IXFN170N30P, IXFN132N50P3, IXFN64N50P, IXFN60N80P, IXFN82N60P, IXFN44N80P, IXFN44N100P, IXFN40N90P, IXFN40N110P, IXFN52N90P, IXFN56N90P) | |
| Tecnologia | HiPerFET, Polar |
| Símbolo: (IXTN200N10T) | |
| Tecnologia | TrenchMV |
| Símbolo: (IXFN360N10T, IXFN420N10T, IXFN140N25T) | |
| Tecnologia | GigaMOS, HiPerFET |
| Símbolo: (IXFN180N15P) | |
| Tecnologia | HiPerFET, PolarHT |
| Símbolo: (IXFNxxxX3) | |
| Tecnologia | HiPerFET, X3-Class |
| Símbolo: (IXFN230N20T, IXFN180N25T, IXFN160N30T) | |
| Tecnologia | GigaMOS |
| Símbolo: (IXFN210N30P3, IXFN80N60P3, IXFN110N60P3) | |
| Tecnologia | HiPerFET, Polar3 |
| Símbolo: (IXTN62N50L, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN17N120L, IXTN8N150L) | |
| Tecnologia | Linear |
| Símbolo: (IXFNxxx0Q3) | |
| Tecnologia | HiPerFET, Q3-Class |
| Símbolo: (IXFN80N50P, IXFN48N60P, IXFN64N60P, IXFN32N80P) | |
| Tecnologia | HiPerFET, PolarHV |
| Símbolo: (IXFN94N50P2) | |
| Tecnologia | HiPerFET, Polar2 |
| Símbolo: (IXKNxxx0C) | |
| Tecnologia | CoolMOS |
| Símbolo: (IXTN102N65X2) | |
| Tecnologia | X2-Class |
| Símbolo: (IXFN1x0N65X2) | |
| Tecnologia | HiPerFET, X2-Class |
| Símbolo: (IXFNxxxX) | |
| Tecnologia | HiPerFET, X-Class |
| Símbolo: (IXFNxxx0SK) | |
| Tecnologia | SiC |
| Símbolo | Espécie de canal | Estrutura | Uds | Id | Idm | Ugs | Rds(on) | Potência dissipada | Topologia | QG | trr | Caixa | Montagem elétr. | Montagem mec. | Propriedades |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| [V] | [A] | [A] | [V] | [Ω] | [W] | [C] | [s] | ||||||||
| VMM300-03F | - | transístor/transístor | 300 | 220 | 1,16k | ±20 | 7,4m | 1,5k | meia ponte MOSFET | - | - | Y3-DCB | FASTON conectores, roscado | roscado | - |
| IXTN32P60P | enriquecido | transístor individual | -600 | -32 | -96 | ±30 | 350m | 890 | - | 196n | 480n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN40P50P | enriquecido | transístor individual | -500 | -40 | -120 | ±30 | 230m | 890 | - | 205n | 477n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN120P20T | enriquecido | transístor individual | -200 | -106 | -400 | ±15 | 30m | 830 | - | 740n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN90P20P | enriquecido | transístor individual | -200 | -90 | -270 | ±30 | 44m | 890 | - | 205n | 315n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN210P10T | enriquecido | transístor individual | -100 | -210 | -800 | ±15 | 7,5m | 830 | - | 740n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN170P10P | enriquecido | transístor individual | -100 | -170 | -510 | ±30 | 14m | 890 | - | 240n | 176n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN600N04T2 | enriquecido | transístor individual | 40 | 600 | 1,8k | ±30 | 1,3m | 940 | - | 590n | 100n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN550N055T2 | enriquecido | transístor individual | 55 | 550 | 1,65k | ±30 | 1,3m | 940 | - | 595n | 100n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN340N07 | enriquecido | transístor individual | 70 | 340 | 1,36k | ±30 | 4m | 700 | - | 490n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN240N075L2 | enriquecido | transístor individual | 75 | 225 | 720 | ±30 | 7m | 735 | - | 546n | 206n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN520N075T2 | enriquecido | transístor individual | 75 | 480 | 1,5k | ±30 | 1,9m | 940 | - | 545n | 150n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN200N10L2 | enriquecido | transístor individual | 100 | 178 | 500 | ±30 | 11m | 830 | - | 540n | 245n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN200N10P | enriquecido | transístor individual | 100 | 200 | 400 | ±30 | 7,5m | 680 | - | 235n | 150n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN200N10T | enriquecido | transístor individual | 100 | 200 | 500 | ±30 | 5,5m | 550 | - | 152n | 76n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN300N10P | enriquecido | transístor individual | 100 | 295 | 900 | ±30 | 5,5m | 1070 | - | 279n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN360N10T | enriquecido | transístor individual | 100 | 360 | 900 | ±30 | 2,6m | 830 | - | 525n | 130n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN420N10T | enriquecido | transístor individual | 100 | 420 | 1k | ±30 | 2,3m | 1,07k | - | 670n | 140n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| VMO550-01F | enriquecido | transístor individual | 100 | 590 | 2,36k | ±20 | 2,1m | 2,2k | - | 2µ | 300n | Y3-DCB | FASTON conectores, roscado | roscado | derivação Kelvin |
| IXFN180N15P | enriquecido | transístor individual | 150 | 150 | 380 | ±30 | 11m | 680 | - | 240n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN240N15T2 | enriquecido | transístor individual | 150 | 240 | 600 | ±30 | 5,2m | 830 | - | 460n | 140n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN360N15T2 | enriquecido | transístor individual | 150 | 310 | 900 | ±30 | 4m | 1070 | - | 715n | 150n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN400N15X3 | enriquecido | transístor individual | 150 | 400 | 900 | ±30 | 2,5m | 695 | - | 365n | 132n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN320N17T2 | enriquecido | transístor individual | 170 | 260 | 800 | ±30 | 5,2m | 1070 | - | 640n | 150n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN110N20L2 | enriquecido | transístor individual | 200 | 100 | 275 | ±30 | 24m | 735 | - | 500n | 420n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN140N20P | enriquecido | transístor individual | 200 | 115 | 280 | ±30 | 18m | 680 | - | 240n | 150n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN220N20X3 | enriquecido | transístor individual | 200 | 160 | 500 | ±30 | 6,2m | 390 | - | 204n | 128n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN210N20P | enriquecido | transístor individual | 200 | 188 | 600 | ±30 | 10,5m | 1070 | - | 255n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN230N20T | enriquecido | transístor individual | 200 | 220 | 630 | ±30 | 7,5m | 1090 | - | 358n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN300N20X3 | enriquecido | transístor individual | 200 | 300 | 700 | ±30 | 3,5m | 695 | - | 375n | 172n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN90N25L2 | enriquecido | transístor individual | 250 | 90 | 360 | ±30 | 36m | 735 | - | 640n | 266n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN140N25T | enriquecido | transístor individual | 250 | 120 | 400 | ±30 | 17m | 690 | - | 255n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN170N25X3 | enriquecido | transístor individual | 250 | 146 | 400 | ±30 | 7,4m | 390 | - | 190n | 135n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN180N25T | enriquecido | transístor individual | 250 | 168 | 500 | ±30 | 12,9m | 900 | - | 364n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN240N25X3 | enriquecido | transístor individual | 250 | 240 | 600 | ±30 | 4,5m | 695 | - | 345n | 165n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN80N30L2 | enriquecido | transístor individual | 300 | 80 | 200 | ±30 | 38m | 735 | - | 660n | 485n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN102N30P | enriquecido | transístor individual | 300 | 86 | 250 | ±30 | 33m | 570 | - | 224n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN140N30P | enriquecido | transístor individual | 300 | 110 | 300 | ±30 | 24m | 700 | - | 185n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN160N30T | enriquecido | transístor individual | 300 | 130 | 444 | ±30 | 19m | 900 | - | 376n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN170N30P | enriquecido | transístor individual | 300 | 138 | 500 | ±30 | 18m | 890 | - | 258n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN210N30P3 | enriquecido | transístor individual | 300 | 192 | 550 | ±30 | 14,5m | 1500 | - | 268n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN210N30X3 | enriquecido | transístor individual | 300 | 210 | 650 | ±20 | 4,6m | 695 | - | 375n | 190n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN46N50L | enriquecido | transístor individual | 500 | 46 | 100 | ±40 | 160m | 700 | - | 260n | 600n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN64N50P | enriquecido | transístor individual | 500 | 50 | 150 | ±40 | 85m | 625 | - | 150n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN60N50L2 | enriquecido | transístor individual | 500 | 53 | 150 | ±40 | 100m | 735 | - | 610n | 980n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN55N50 | enriquecido | transístor individual | 500 | 55 | 220 | ±40 | 80m | 625 | - | 330n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| VMO60-05F | enriquecido | transístor individual | 500 | 60 | 240 | ±20 | 65m | 590 | - | 405n | 250n | TO240AA | FASTON conectores, roscado | roscado | derivação Kelvin |
| IXTN62N50L | enriquecido | transístor individual | 500 | 62 | 150 | ±40 | 100m | 800 | - | 550n | 500n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN80N50Q3 | enriquecido | transístor individual | 500 | 63 | 240 | ±40 | 65m | 780 | - | 200n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN80N50P | enriquecido | transístor individual | 500 | 66 | 200 | ±30 | 65m | 700 | - | 195n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN94N50P2 | enriquecido | transístor individual | 500 | 68 | 240 | ±40 | 55m | 780 | - | 220n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN100N50P | enriquecido | transístor individual | 500 | 75 | 250 | ±30 | 49m | 1,04k | - | 240n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN80N50 | enriquecido | transístor individual | 500 | 80 | 320 | ±40 | 55m | 694 | - | 380n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN100N50Q3 | enriquecido | transístor individual | 500 | 82 | 300 | ±40 | 49m | 960 | - | 255n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN132N50P3 | enriquecido | transístor individual | 500 | 112 | 330 | ±40 | 39m | 1500 | - | 250n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXKN40N60C | enriquecido | transístor individual | 600 | 40 | - | ±20 | 70m | 290 | - | 250n | 650n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN48N60P | enriquecido | transístor individual | 600 | 40 | 110 | ±40 | 140m | 625 | - | 150n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN64N60P | enriquecido | transístor individual | 600 | 50 | 150 | ±40 | 96m | 700 | - | 200n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXKN75N60C | enriquecido | transístor individual | 600 | 50 | 250 | ±20 | 36m | 560 | - | 500n | 580n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN80N60P3 | enriquecido | transístor individual | 600 | 66 | 200 | ±40 | 77m | 960 | - | 190n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN82N60Q3 | enriquecido | transístor individual | 600 | 66 | 240 | ±40 | 75m | 960 | - | 275n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN82N60P | enriquecido | transístor individual | 600 | 72 | 200 | ±40 | 75m | 1040 | - | 240n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN110N60P3 | enriquecido | transístor individual | 600 | 90 | 275 | ±40 | 56m | 1500 | - | 254n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN102N65X2 | enriquecido | transístor individual | 650 | 76 | 204 | ±40 | 30m | 595 | - | 152n | 450n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN100N65X2 | enriquecido | transístor individual | 650 | 78 | 200 | ±40 | 30m | 595 | - | 183n | 200n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN120N65X2 | enriquecido | transístor individual | 650 | 108 | 240 | ±40 | 24m | 890 | - | 240n | 220n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN150N65X2 | enriquecido | transístor individual | 650 | 145 | 300 | ±30 | 17m | 1040 | - | 355n | 190n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN170N65X2 | enriquecido | transístor individual | 650 | 170 | 340 | ±30 | 13m | 1170 | - | 434n | 270n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN32N80P | enriquecido | transístor individual | 800 | 29 | 250 | ±40 | 270m | 625 | - | 150n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN44N80Q3 | enriquecido | transístor individual | 800 | 37 | 130 | ±40 | 190m | 780 | - | 185n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN44N80P | enriquecido | transístor individual | 800 | 39 | 100 | ±30 | 190m | 694 | - | 200n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXKN45N80C | enriquecido | transístor individual | 800 | 44 | - | ±20 | 74m | 380 | - | 360n | 800n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN62N80Q3 | enriquecido | transístor individual | 800 | 49 | 180 | ±40 | 140m | 960 | - | 270n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN60N80P | enriquecido | transístor individual | 800 | 53 | 150 | ±30 | 140m | 1040 | - | 250n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN66N85X | enriquecido | transístor individual | 850 | 65 | 140 | ±40 | 65m | 830 | - | 230n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN90N85X | enriquecido | transístor individual | 850 | 90 | 180 | ±40 | 41m | 1200 | - | 340n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN110N85X | enriquecido | transístor individual | 850 | 110 | 220 | ±40 | 33m | 1170 | - | 425n | 205n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN40N90P | enriquecido | transístor individual | 900 | 33 | 80 | ±40 | 230m | 695 | - | 230n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN52N90P | enriquecido | transístor individual | 900 | 43 | 104 | ±40 | 160m | 890 | - | 308n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN56N90P | enriquecido | transístor individual | 900 | 56 | 168 | ±40 | 145m | 1000 | - | 375n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN130N90SK | enriquecido | transístor individual | 900 | 109 | - | - | 10m | - | - | 68n | - | SOT227B | roscado | roscado | derivação Kelvin |
| IXTN22N100L | enriquecido | transístor individual | 1k | 22 | 50 | ±40 | 600m | 700 | - | 270n | 1µ | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN26N100P | enriquecido | transístor individual | 1k | 23 | 65 | ±40 | 390m | 595 | - | 197n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN24N100 | enriquecido | transístor individual | 1k | 24 | 96 | ±30 | 390m | 568 | - | 250n | 250n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN32N100P | enriquecido | transístor individual | 1k | 27 | 75 | ±40 | 320m | 690 | - | 225n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN32N100Q3 | enriquecido | transístor individual | 1k | 28 | 96 | ±40 | 320m | 780 | - | 195n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN30N100L | enriquecido | transístor individual | 1k | 30 | 70 | ±40 | 450m | 800 | - | 545n | 1µ | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN36N100 | enriquecido | transístor individual | 1k | 36 | 144 | ±30 | 240m | 694 | - | 380n | 180n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN44N100P | enriquecido | transístor individual | 1k | 37 | 110 | ±40 | 220m | 890 | - | 350n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN44N100Q3 | enriquecido | transístor individual | 1k | 38 | 110 | ±40 | 220m | 960 | - | 264n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN38N100P | enriquecido | transístor individual | 1k | 38 | 120 | ±40 | 210m | 1000 | - | 350n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN52N100X | enriquecido | transístor individual | 1k | 44 | 100 | ±40 | 125m | 830 | - | 245n | 260n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN40N110P | enriquecido | transístor individual | 1,1k | 34 | 100 | ±40 | 260m | 890 | - | 310n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN40N110Q3 | enriquecido | transístor individual | 1,1k | 35 | 100 | ±40 | 260m | 960 | - | 300n | 434n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN17N120L | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 15 | 34 | ±40 | 900m | 540 | - | 155n | 1,83µ | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN20N120P | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 20 | 50 | ±40 | 570m | 595 | - | 193n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN27N120SK | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 21,5 | - | - | 80m | - | - | 160n | - | SOT227B | roscado | roscado | derivação Kelvin |
| IXFN26N120P | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 23 | 60 | ±40 | 500m | 695 | - | 255n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN30N120P | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 30 | 75 | ±40 | 350m | 890 | - | 310n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN32N120P | enriquecido | transístor individual | 1,2k | 32 | 100 | ±40 | 310m | 1000 | - | 360n | 300n | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXTN8N150L | enriquecido | transístor individual | 1,5k | 7,5 | 20 | ±40 | 3,6 | 545 | - | 250n | 1,7µ | SOT227B | roscado | roscado | - |
| IXFN90N170SK | enriquecido | transístor individual | 1,7k | 67 | - | - | 23m | - | - | 376n | - | SOT227B | roscado | roscado | derivação Kelvin |
| VUM25-05E | - | díodo/transístor | 500 | 35 | 95 | ±20 | 120m | 36 | 3-phase PFC | - | - | V1-A-Pack | FASTON conectores | roscado | - |
| VUM85-05A | - | díodo/transístor | 500 | 130 | 520 | ±20 | 36m | 1,38k | 3-phase PFC | - | - | V2-Pack | Press-in PCB | roscado | - |
| VUM33-06PH | - | díodo/transístor | 600 | 50 | - | ±20 | 120m | 500 | boost chopper, ponte monofásica de díodos | - | - | V1-B-Pack | FASTON conectores | roscado | - |
