IXTN200N10L2
Módulo; transístor individual; 100V; 178A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN200N10L2
Símbolo TME:
IXTN200N10L2
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 100V | |
Corrente de dreno | 178A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 11mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 500A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | Linear L2™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 540nC | |
Tempo de prontidão | 245ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto29.6 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 51.98 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 63.94 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 46.05 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 56.65 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 20 itens