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STGP10M65DF2

Transístor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB

Documentação EN
Documentação EN
Família de produtos

Fabricante: STMicroelectronics

Referência do Fabricante:
STGP10M65DF2
Símbolo TME:
STGP10M65DF2

Especificação

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
IGBT
Tensão coletor-emissor
650V
Corrente do coletor
10A
Potência dissipada
115W
Caixa
TO220AB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
40A
Montagem
THT
Carga da porta
28nC
Espécie de embalagem
tubo
Propriedades de dispositivos semicondutores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto1.986 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores IGBT THT STMicroelectronics,
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STGP10M65DF2
150 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 1.61 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 1.98 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 1.04 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 1.29 EUR
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 0.83 EURPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 1.02 EUR
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 0.80 EURPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 0.99 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteTubo = 50 itens