APT50GF120JRD
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Tillverkare: MICROCHIP TECHNOLOGY
Tillverkarens benämning:
APT50GF120JRD
TMEs Symbol:
APT50GF120JRD
Specifikation
Tillverkare | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ av halvledarmodul | IGBT | ||
Halvledarstruktur | en enskild transistor | ||
Max backspänning | 1,2kV | ||
Kollektorström | 64A | ||
Kapsling | SOT227B | ||
Elektriskt montage | skruvad | ||
Spänning port - emitter | ±30V | ||
Kollektorström i impulsen | 225A | ||
Teknik | NPT | ||
Sort av förpacknings | tub | ||
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDSe specifikationstabellen nedan för att hitta liknande produkter
Produkten utgick ur sortimenet
Erbjudandet är tillgängligt för inloggade kunder