APT75GT120JRDQ3
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Tillverkare: MICROCHIP TECHNOLOGY
Tillverkarens benämning:
APT75GT120JRDQ3
TMEs Symbol:
APT75GT120JRDQ3
Specifikation
Tillverkare | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ av halvledarmodul | IGBT | ||
Halvledarstruktur | en enskild transistor | ||
Max backspänning | 1,2kV | ||
Kollektorström | 57A | ||
Kapsling | SOT227B | ||
Elektriskt montage | skruvad | ||
Spänning port - emitter | ±20V | ||
Kollektorström i impulsen | 300A | ||
Teknik | NPT, POWER MOS 7® | ||
Sort av förpacknings | tub | ||
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 67.40 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 84.24 USD
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 60.67 USDBruttopris för kvantiteter från 3 st - 75.83 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 53.61 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 67.00 USD
Erbjudandet är tillgängligt för inloggade kunder