B2M035120YP
Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolig; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Tillverkare: BASiC SEMICONDUCTOR
Tillverkarens benämning:
B2M035120YP
TMEs Symbol:
B2M035120YP
Specifikation
Tillverkare | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortyp | N-MOSFET | |
Teknik | SiC | |
Polaritet | enpolig | |
Drän-källa spänning | 1,2kV | |
Dränspänning | 60A | |
Pulserande drain-ström | 190A | |
Effektdissipation | 375W | |
Kapsling | TO247PLUS-4 | |
Port-källa spänning | -4...18V | |
Ledresistans | 35mΩ | |
Montage | THT | |
Portens laddning | 115nC | |
Sort av förpacknings | tub | |
Sort av kanal | anrikad | |
Egenskaper av halvledarkomponenter | Kelvin terminal |
Bruttovikt7.215 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke
Se övriga produkter i denna kategori: N-kanaltransistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M035120YPAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 15.12 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 18.90 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 13.66 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 17.07 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 12.02 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 15.03 EUR
Nettopris för kvantiteter från 30 st - 10.82 EURBruttopris för kvantiteter från 30 st - 13.53 EUR
Svårtillgänglig produkt
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 30 st