BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Tillverkare: BASiC SEMICONDUCTOR
Tillverkarens benämning:
BGH50N65HS1
TMEs Symbol:
BGH50N65HS1
Specifikation
Tillverkare | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortyp | IGBT | |
Teknik | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Spänning kollektor - emitter | 650V | |
Kollektorström | 50A | |
Effektdissipation | 357W | |
Kapsling | TO247-3 | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 200A | |
Montage | THT | |
Portens laddning | 308nC | |
Sort av förpacknings | tub | |
Inkopplingstid | 54ns | |
Frånslagstid | 256ns | |
Egenskaper av halvledarkomponenter | integrated anti-parallel diode |
Bruttovikt6.26 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-transistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65HS1Antal stycken (Multipel: 1)
34 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 9.52 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 11.90 EUR
Nettopris för kvantiteter från 5 st - 8.56 EURBruttopris för kvantiteter från 5 st - 10.70 EUR
Nettopris för kvantiteter från 30 st - 7.56 EURBruttopris för kvantiteter från 30 st - 9.45 EUR
Nettopris för kvantiteter från 150 st - 6.34 EURBruttopris för kvantiteter från 150 st - 7.93 EUR
Nettopris för kvantiteter från 600 st - 6.12 EURBruttopris för kvantiteter från 600 st - 7.64 EUR
Produkten är tillgänglig endast så länge lagret räcker
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 30 st