BGH75N120HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3
Tillverkare: BASiC SEMICONDUCTOR
Tillverkarens benämning:
BGH75N120HF1
TMEs Symbol:
BGH75N120HF1
Specifikation
Tillverkare | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortyp | IGBT | |
Teknik | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Spänning kollektor - emitter | 1,2kV | |
Kollektorström | 75A | |
Effektdissipation | 568W | |
Kapsling | TO247-3 | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 200A | |
Montage | THT | |
Portens laddning | 398nC | |
Sort av förpacknings | tub | |
Inkopplingstid | 140ns | |
Frånslagstid | 443ns | |
Egenskaper av halvledarkomponenter | integrated anti-parallel diode |
Bruttovikt6.217 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-transistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH75N120HF1Antal stycken (Multipel: 1)
5 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 9.86 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 12.33 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 8.92 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 11.15 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 7.89 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 9.87 EUR
Nettopris för kvantiteter från 30 st - 7.09 EURBruttopris för kvantiteter från 30 st - 8.87 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 30 st