+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD1600SGX170C3S

Modul: IGBT; transistor/transistor,gemensam grind; IGBT x2

Produktfamilj

Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD1600SGX170C3S
TMEs Symbol:
GD1600SGX170C3S

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
gemensam grind, transistor/transistor
Topologi
IGBT x2
Max backspänning
1,7kV
Kollektorström
1,6kA
Kapsling
C3 130mm
Elektriskt montage
skruvad
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
3,2kA
Teknik
Trench FS IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt1.5 kg
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD1600SGX170C3S
0 i lager hos TME
Antal stycken (Multipel: 8)
Minimal beställbar kvantitet: 8.
Multipel: 8.
Produkt på specialbeställning