+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD200HFX65C8S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbrygga; Urmax: 650V

Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD200HFX65C8S
TMEs Symbol:
GD200HFX65C8S

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbrygga
Max backspänning
650V
Kollektorström
200A
Kapsling
C8 48mm
Elektriskt montage
FASTON kontaktdon, skruvad
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
400A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt200 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C8S
0 i lager hos TME
Antal stycken (Multipel: 16)
Produkt på specialbeställning