+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD20PJX65F1S

Modul: IGBT; diod/transistor; boost chopper,3-fas-diodbrygga


Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD20PJX65F1S
TMEs Symbol:
GD20PJX65F1S

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
diod/transistor
Topologi
3-fas brygga IGBT OE-utgång, 3-fas-diodbrygga, boost chopper, NTC-termistor
Max backspänning
650V
Kollektorström
20A
Kapsling
F1.1
Elektriskt montage
Press-in PCB
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
40A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt26 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD20PJX65F1S
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 35.05 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 43.82 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 31.05 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 38.81 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 27.85 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 34.81 EUR
Nettopris för kvantiteter från 25 st - 26.04 EURBruttopris för kvantiteter från 25 st - 32.55 EUR
Antal stycken (Multipel: 1)
Minimal beställbar kvantitet: 1.
Multipel: 1.