+1 500 000 produkter som erbjuds

6000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD300HFX65C8SN

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbrygga; Urmax: 650V

Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD300HFX65C8SN
TMEs Symbol:
GD300HFX65C8SN

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbrygga
Max backspänning
650V
Kollektorström
300A
Kapsling
C8 48mm
Elektriskt montage
FASTON kontaktdon, skruvad
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
600A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt200 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD300HFX65C8SN
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 16 st - 62.57 USDBruttopris för kvantiteter från 16 st - 78.21 USD
Antal stycken (Multipel: 16)