+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Ring oss +48 42 645 54 44

Registrera dig

Quick Buy Favoriter

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

Databehandling pågår

Din kreditgräns är öveskriden. Beställningen blev emottagen men kommer inte att exekveras. Tidplan för beställda artiklar kommer inte heller att fastställas. Kontakta TMEs personal.

Uppgiften utfördes med framgång.

Det uppstod ett oväntat fel. Försök igen.

Tillverkare	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul	IGBT
Halvledarstruktur	diod/transistor
Topologi	3-fas brygga IGBT OE-utgång, 3-fas-diodbrygga, boost chopper, NTC-termistor
Max backspänning	650V
Kollektorström	30A
Kapsling	F1.1
Elektriskt montage	Press-in PCB
Spänning port - emitter	±20V
Kollektorström i impulsen	60A
Teknik	Trench FS IGBT
Mekaniskt montage	skruvad

GD30PJX65F1S

Modul: IGBT; diod/transistor; boost chopper,3-fas-diodbrygga

Specifikation