+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD650HFX170P1S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbrygga; Urmax: 1700V

Produktfamilj

Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD650HFX170P1S
TMEs Symbol:
GD650HFX170P1S

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbrygga
Max backspänning
1,7kV
Kollektorström
650A
Kapsling
P1.0
Elektriskt montage
skruvad
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
1,3kA
Teknik
Trench FS IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt825 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD650HFX170P1S
0 i lager hos TME
Antal stycken (Multipel: 9)
Minimal beställbar kvantitet: 9.
Multipel: 9.
Produkt på specialbeställning