+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

GD80TLQ120F1S

Modul: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 80A; F1.2


Tillverkare: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tillverkarens benämning:
GD80TLQ120F1S
TMEs Symbol:
GD80TLQ120F1S

Specifikation

Tillverkare
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
transistor/transistor
Topologi
NTC-termistor, växelriktare med 3 nivåer TNPC
Max backspänning
1,2kV
Kollektorström
80A
Kapsling
F1.2
Elektriskt montage
Press-in PCB
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
160A
Teknik
Advanced Trench FS Fast IGBT
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt26 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD80TLQ120F1S
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 25 st - 46.85 USDBruttopris för kvantiteter från 25 st - 58.56 USD
Antal stycken (Multipel: 25)
Minimal beställbar kvantitet: 25.
Multipel: 25.