IXDN55N120D1
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXDN55N120D1
TMEs Symbol:
IXDN55N120D1
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Max backspänning | 1,2kV | |
Kollektorström | 62A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 124A | |
Effektdissipation | 450W | |
Teknik | NPT | |
Egenskaper av halvledarkomponenter | högspänningsprob | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS
* IXDN55N120D1Se specifikationstabellen nedan för att hitta liknande produkter
Produkten utgick ur sortimenet
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st