IXFN100N50P
Modul; en enskild transistor; 500V; 75A; SOT227B; skruvad; 1,04kW
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN100N50P
TMEs Symbol:
IXFN100N50P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 500V | |
Dränspänning | 75A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 49mΩ | |
Pulserande drain-ström | 250A | |
Effektdissipation | 1,04kW | |
Teknik | HiPerFET™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 240nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.07 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PAntal stycken (Multipel: 1)
278 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 39.02 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 48.78 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 37.53 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 46.91 EUR
Nettopris för kvantiteter från 30 st - 36.02 EURBruttopris för kvantiteter från 30 st - 45.03 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st