IXFN100N50Q3
Modul; en enskild transistor; 500V; 82A; SOT227B; skruvad; 960W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN100N50Q3
TMEs Symbol:
IXFN100N50Q3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 500V | |
Dränspänning | 82A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 49mΩ | |
Pulserande drain-ström | 300A | |
Effektdissipation | 960W | |
Teknik | HiPerFET™, Q3-Class | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 255nC | |
Beredskapstid | 250ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt35.83 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 63.47 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 79.34 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 56.06 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 70.07 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 50.36 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 62.94 EUR