IXFN120N65X2
Modul; en enskild transistor; 650V; 108A; SOT227B; skruvad; 890W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN120N65X2
TMEs Symbol:
IXFN120N65X2
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 650V | |
Dränspänning | 108A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 24mΩ | |
Pulserande drain-ström | 240A | |
Effektdissipation | 890W | |
Teknik | HiPerFET™, X2-Class | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 240nC | |
Beredskapstid | 220ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.11 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN120N65X2Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 43.85 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 54.81 USD
Nettopris för kvantiteter från 5 st - 41.39 USDBruttopris för kvantiteter från 5 st - 51.73 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st