IXFN160N30T
Modul; en enskild transistor; 300V; 130A; SOT227B; skruvad; 900W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN160N30T
TMEs Symbol:
IXFN160N30T
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 300V | |
Dränspänning | 130A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 19mΩ | |
Pulserande drain-ström | 444A | |
Effektdissipation | 900W | |
Teknik | GigaMOS™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 376nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt35.8 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN160N30TAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 25.56 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 31.94 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 23.18 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 28.97 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st