IXFN20N120P
Modul; en enskild transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; skruvad; 595W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN20N120P
TMEs Symbol:
IXFN20N120P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1,2kV | |
Dränspänning | 20A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 570mΩ | |
Pulserande drain-ström | 50A | |
Effektdissipation | 595W | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 193nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.11 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PAntal stycken (Multipel: 1)
17 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 13.84 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 17.30 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 13.21 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 16.51 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 13.17 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 16.47 EUR
Produkten är tillgänglig endast så länge lagret räcker
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st