IXFN210N20P
Modul; en enskild transistor; 200V; 188A; SOT227B; skruvad; 1070W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN210N20P
TMEs Symbol:
IXFN210N20P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 200V | |
Dränspänning | 188A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 10,5mΩ | |
Pulserande drain-ström | 600A | |
Effektdissipation | 1,07kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 255nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.01 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PAntal stycken (Multipel: 1)
291 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 35.10 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 43.88 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 33.80 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 42.25 EUR
Nettopris för kvantiteter från 20 st - 32.60 EURBruttopris för kvantiteter från 20 st - 40.75 EUR
Nettopris för kvantiteter från 50 st - 31.30 EURBruttopris för kvantiteter från 50 st - 39.13 EUR
Nettopris för kvantiteter från 100 st - 30.11 EURBruttopris för kvantiteter från 100 st - 37.63 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st