IXFN210N20P
Modul; en enskild transistor; 200V; 188A; SOT227B; skruvad; 1070W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN210N20P
TMEs Symbol:
IXFN210N20P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 200V | |
Dränspänning | 188A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 10,5mΩ | |
Pulserande drain-ström | 600A | |
Effektdissipation | 1,07kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 255nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.01 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20P
121 i lager hos TME
Antal stycken (Multipel: 1)
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 49.18 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 61.47 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 39.13 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 48.92 USD
Nettopris för kvantiteter från 50 st - 34.71 USDBruttopris för kvantiteter från 50 st - 43.39 USD
Tillverkarens förpackningsmetod:Tub = 10 st