IXFN26N120P
Modul; en enskild transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; skruvad; 695W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN26N120P
TMEs Symbol:
IXFN26N120P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1,2kV | |
Dränspänning | 23A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,5Ω | |
Pulserande drain-ström | 60A | |
Effektdissipation | 695W | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 255nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.12 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N120PAntal stycken (Multipel: 1)
7 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 37.45 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 46.81 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 33.06 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 41.33 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 29.70 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 37.13 EUR
Produkten är tillgänglig endast så länge lagret räcker
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st