IXFN300N10P
Modul; en enskild transistor; 100V; 295A; SOT227B; skruvad; 1070W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN300N10P
TMEs Symbol:
IXFN300N10P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 100V | |
Dränspänning | 295A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 5,5mΩ | |
Pulserande drain-ström | 900A | |
Effektdissipation | 1,07kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 279nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.17 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN300N10PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 44.28 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 55.34 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 41.07 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 51.34 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st