IXFN30N120P
Modul; en enskild transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; skruvad; 890W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN30N120P
TMEs Symbol:
IXFN30N120P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1,2kV | |
Dränspänning | 30A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,35Ω | |
Pulserande drain-ström | 75A | |
Effektdissipation | 890W | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 310nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt36.6 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN30N120PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 59.97 GBPBruttopris för kvantiteter från 1 st - 74.97 GBP
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 53.02 GBPBruttopris för kvantiteter från 3 st - 66.28 GBP
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 47.62 GBPBruttopris för kvantiteter från 10 st - 59.53 GBP
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st