IXFN32N120P
Modul; en enskild transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; skruvad; 1000W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN32N120P
TMEs Symbol:
IXFN32N120P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1,2kV | |
Dränspänning | 32A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,31Ω | |
Pulserande drain-ström | 100A | |
Effektdissipation | 1kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 360nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.27 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 81.40 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 101.75 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 71.91 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 89.88 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 64.61 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 80.76 EUR
Svårtillgänglig produkt
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st